高带宽闪存HBF瞄准AI内存市场，单位容量成本或仅为HBM4一成

韩国《朝鲜日报》报道，高带宽闪存（HBF）被视为AI加速器内存体系的新选项。它通过垂直堆叠NAND闪存芯片，并采用硅通孔（TSV）互连，试图在提供更大容量的同时提升数据传输速度，补充容量和成本压力较大的高带宽内存（HBM）。

报道标题称，HBF单位容量制造成本约为HBM4的10%。不过，该数字属于行业估算，实际成本和性能仍有待产品落地验证。HBF采用NAND闪存，与DRAM制成的HBM在延迟、耐久性和使用场景上存在差异，不能简单视为HBM的直接替代品。

SK海力士与闪迪正推动HBF标准化，首批产品样品预计于2027年提供。三星、镁光和长江存储等也在探索高带宽闪存相关方案。随着AI系统对存储容量需求持续增长，HBF有望拓展NAND的应用空间，但商业化进度及能否缓解存储市场供需压力仍待观察。