长鑫科技第六代 DRAM 技术平台完成工程样片验证

根据IT之家报道，长鑫科技在第三季度业绩交流会上透露，基于 4F² 垂直沟道 DRAM 架构的第六代工艺技术平台已完成工程样片验证；公司第五代工艺技术平台已实现量产，LPDDR6 产品实现量产。

长鑫科技称，第五代平台每片晶圆的裸片产出较第四代提升至少 50%。公司预计于今年年底送样采用 4F² 架构的首代 DDR5 RDIMM 产品，后续量产将根据客户验证进度和市场需求推进。